Datos del producto:
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Voltaje reverso máximo: | 200V | Max. Forward Current: | 1A |
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Tipo: | Diodo de Schottky | Voltaje delantero máximo: | 0.95V |
IFSM: | 40A | Paquete: | DO-41 |
Alta luz: | Diodo SB1200,diodo sb160 SB1200 de Schottky,diodo SB1200 SB1100 de Schottky |
Dimensión del producto
SÍMBOLOS | SB 120 | SB 130 | SB 140 | SB 150 | SB 160 | SB 170 | SB 180 | SB 190 | SB 1100 | SB 1150 | SB 1200 | UNIDADES | |
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Voltaje reverso máximo repetidor máximo | VRRM | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 | 80 | 90 | 100 | 150 | 200 | VOLTIOS |
Voltaje máximo del RMS | VRMS | 14 | 21 | 28 | 35 | 42 | 49 | 56 | 63 | 70 | 105 | 140 | VOLTIOS |
Voltaje de bloqueo máximo de DC | VDC | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 | 80 | 90 | 100 | 150 | 200 | VOLTIOS |
La media máxima adelante rectificó 0,375" actual la longitud de la ventaja (de 9.5m m) (véase fig.1)
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YO (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 1,0 | Amperio | ||||||||||
Onda sinusoidal delantera máxima de la sobretensión sola media 8.3ms sobrepuesta en la carga clasificada (método de JEDEC)
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IFSM |
40,0 |
Amperios |
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Voltaje delantero instantáneo máximo en 1.0A | VF | 0,55 | 0,70 | 0,85 | 0,95 | Voltios | |||||||
℃ actual TA=25 del revés máximo de DC
en el ℃ clasificado del voltaje de bloqueo de DC TA=100
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IR | 0,5 | 0,2 | mA | |||||||||
10,0 | 5,0 | 2,0 | |||||||||||
Capacitancia de empalme típica (NOTA 1) | CJ | 110 | 80 | PF | |||||||||
Resistencia termal típica (NOTA 2) | RqJA | 50,0 | ℃/W | ||||||||||
Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme | TJ, | -65 a +125 | -65 a +150 | ℃ | |||||||||
Gama de temperaturas de almacenamiento | TSTG | -65 a +150 | ℃ |
Persona de Contacto: Ms. Selena Chai
Teléfono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398